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EMU concedido no processo 2023/17576-4: potenciostato/galvanostato com módulo de baixa corrente e módulo de impedância

Processo:24/15173-2
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Programa Equipamentos Multiusuários
Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 2024
Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2031
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Química - Química Inorgânica
Pesquisador responsável:Murilo Santhiago
Beneficiário:Murilo Santhiago
Instituição Sede:Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais (CNPEM). Campinas , SP, Brasil
Município da Instituição Sede:Campinas
Vinculado ao auxílio:23/17576-4 - Geração controlada de defeitos químicos no plano basal do dissulfeto de molibdênio (MoS2), AP.R
Assunto(s):Materiais bidimensionais  Dissulfeto de molibdênio  Energia  Nanotecnologia  Aquisição de equipamentos  Equipamentos multiusuários  Infraestrutura de pesquisa 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Dissulfeto de molibdênio | energia | Nanofabricação | materiais 2D

Resumo

Monocamadas de dissulfeto de molibdênio (MoS2) têm apresentado atividade catalítica bastante promissora para a geração eletroquímica de hidrogênio. No entanto, o plano basal que representa a região de maior área na monocamada é inerte na geração de hidrogênio. De forma a ativar o plano basal, uma série de métodos têm sido propostos para gerar defeitos na forma de vacâncias de enxofre e/ou bordas ativas na monocamada. No entanto, a geração de defeitos com alta resolução espacial no plano basal ainda representa um desafio devido aos tipos de rotas utilizadas, que em sua grande maioria não permitem um controle refinado na inserção de defeitos. Neste projeto propomos o preparo de monocamadas de MoS2 com altíssima razão de aspecto visando gerar defeitos com controle de tamanho e posição no plano basal. Ao vencer esse desafio será possível ter uma melhor compreensão da interface na região do defeito gerado no plano basal e como esses defeitos impactam na reação de desprendimento de hidrogênio nos eletrodos. Para caracterizar os defeitos gerados com resolução atômica propomos executar o processo de nanofabricação diretamente em monocamadas suspensas e caracterizar as amostras empregando microscopia eletrônica de transmissão. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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Publicações científicas
(As publicações científicas contidas nesta página são originárias da Web of Science ou da SciELO, cujos autores mencionaram números dos processos FAPESP concedidos a Pesquisadores Responsáveis e Beneficiários, sejam ou não autores das publicações. Sua coleta é automática e realizada diretamente naquelas bases bibliométricas)
HASIMOTO, LEONARDO H.; DAS NEVES, MATHEUS F. F.; PERFECTO, TARCISIO M.; BETTINI, JEFFERSON; LEITE, EDSON R.; CAPAZ, RODRIGO B.; SANTHIAGO, MURILO. Unraveling the Defects Introduced on the Basal Plane of MoS2 Monolayers by H2O2 for the Hydrogen Evolution Reaction. ACS APPLIED ENERGY MATERIALS, v. N/A, p. 9-pg., . (23/15689-6, 23/17576-4, 24/00989-7, 22/14720-4, 22/00955-0, 24/15173-2)