Geração controlada de defeitos químicos no plano basal do dissulfeto de molibdênio (MoS2)

Resumo

Monocamadas de dissulfeto de molibdênio (MoS2) têm apresentado atividade catalítica bastante promissora para a geração eletroquímica de hidrogênio. No entanto, o plano basal que representa a região de maior área na monocamada é inerte na geração de hidrogênio. De forma a ativar o plano basal, uma série de métodos têm sido propostos para gerar defeitos na forma de vacâncias de enxofre e/ou bordas ativas na monocamada. No entanto, a geração de defeitos com alta resolução espacial no plano basal ainda representa um desafio devido aos tipos de rotas utilizadas, que em sua grande maioria não permitem um controle refinado na inserção de defeitos. Neste projeto propomos o preparo de monocamadas de MoS2 com altíssima razão de aspecto visando gerar defeitos com controle de tamanho e posição no plano basal. Ao vencer esse desafio será possível ter uma melhor compreensão da interface na região do defeito gerado no plano basal e como esses defeitos impactam na reação de desprendimento de hidrogênio nos eletrodos. Para caracterizar os defeitos gerados com resolução atômica propomos executar o processo de nanofabricação diretamente em monocamadas suspensas e caracterizar as amostras empregando microscopia eletrônica de transmissão. (AU)