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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Morphological and Electrical Evolution of ZnO:Al Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering onto Glass Substrates

Texto completo
Autor(es):
da Silva, Erica Pereira [1] ; Chaves, Michel [1] ; Durrant, Steven Frederick [1] ; Lisboa-Filho, Paulo Noronha [2] ; Ribeiro Bortoleto, Jose Roberto [1]
Número total de Autores: 5
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Sao Paulo State Univ, UNESP, Technol Plasmas Lab, BR-18087180 Sorocaba, SP - Brazil
[2] Sao Paulo State Univ, UNESP, Grp Adv Mat, BR-17033360 Bauru, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS; v. 17, n. 6, p. 1384-1390, NOV-DEC 2014.
Citações Web of Science: 7
Resumo

In this work, the surface and electrical characteristics ZnO:Al thin films deposited by RF magnetron sputtering onto glass substrates have been investigated. Analysis of surface morphologies revealed two growth stages. In the first stage, up to thicknesses of 100 nm, the films show surface structures with a granular form without preferential orientation. Beyond thicknesses of 100 nm, however, the grain structures increase in size and height, producing a pyramidal form and preferred orientation along the c-axis. The XRD results show that the films have a preferred orientation in the (002) plane. Furthermore, with the evolution of the film thickness the electrical resistivity decreases to a minimum of 1.6 x 10(-3) Omega cm for the film of 465 nm thickness. The doping with aluminum atoms produces an increase in concentration of charge carriers to around 8.8 x 10(19) cm(-3). All films exhibit high optical transmittance (above 85%) in the visible region. (AU)

Processo FAPESP: 11/21345-0 - Filmes finos de carbono amorfo hidrogenado contendo também halogênios fabricados por deposição à vapor química assistido por plasma (PECVD) e deposição e implantação iônica por imersão em plasma (PIIID)
Beneficiário:Steven Frederick Durrant
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 08/53311-5 - Síntese e integração de nanoestruturas, filmes finos e superfícies modificadas
Beneficiário:José Roberto Ribeiro Bortoleto
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores