Busca avançada
Ano de início
Entree
(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Electronic structure of a hydrogenated gallium nitride nanoparticle

Texto completo
Autor(es):
Lavarda, Francisco Carlos [1, 2] ; Schiaber, Ziani de Souza [1] ; Dias Aguiar, Leonardo de Conti [3] ; Oliveira, Eliezer Fernando [1] ; Goncalves Leite, Douglas Marcel [4] ; Camilo, Jr., Alexandre [1, 5] ; Dias da Silva, Jose Humberto [1, 2]
Número total de Autores: 7
Afiliação do(s) autor(es):
[1] UNESP Univ Estadual Paulista, POSMAT Programa Posgrad Ciencia & Tecnol Mat, BR-17033360 Sao Paulo - Brazil
[2] UNESP Univ Estadual Paulista, DF FC, BR-17033360 Sao Paulo - Brazil
[3] UNESP Univ Estadual Paulista, Programa Posgrad Educ Ciencia, BR-17033360 Sao Paulo - Brazil
[4] ITA Inst Tecnol Aeronaut, BR-12228900 Sao Paulo - Brazil
[5] Univ Estadual Ponta Grossa, Setor Ciencias Exatas & Nat, Dept Fis, BR-84030900 Ponta Grossa, Parana - Brazil
Número total de Afiliações: 5
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS; v. 252, n. 10, p. 2317-2322, OCT 2015.
Citações Web of Science: 1
Resumo

This paper investigates the geometrical, electronic, and optical properties of a Ga24N24H46 nanoparticle using Density Functional Theory (DFT). The results show that this nanoparticle maintains geometrical parameters very similar to those of the GaN crystal, although it was noticed that the bond length along the direction {[}0001] of the Ga24N24H46 nanoparticle is smaller than those of the base of the tetrahedron, which is the opposite of what occurs in the crystal. The bandgap of the passivated nanoparticle calculated with DFT is greater than that of the crystal, while an estimate for the hydrogen-free Ga24N24 structure shows a much lower bandgap, in accordance with the literature. The simulation of the optical absorption spectra via Time-Dependent DFT allowed the association of the spatial shape of electronic orbitals with particular transition energies. The highest occupied (HOMO) and lowest unoccupied (LUMO) electronic levels are located on the (0001) and (000-1) surfaces of the particle, respectively, showing that the passivation of GaN nanoparticles should maintain its known photocatalytic activity, and that transition probability between those surface states is relatively low as compared to the HOMO-4 and LUMO transitions at 4.16eV. Results are compared with the available experimental data. (AU)

Processo FAPESP: 11/22664-2 - Crescimento e dopagem de filmes e nanofios de GaN por sputtering reativo
Beneficiário:Ziani de Souza Schiaber
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 12/21147-7 - Crescimento de filmes e nanofios de GaN usando epitaxia por Magnetron Sputtering (MSE)
Beneficiário:Jose Humberto Dias da Silva
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 14/20410-1 - Estrutura eletrônica de materiais orgânicos para aplicações em camadas ativas de células solares
Beneficiário:Francisco Carlos Lavarda
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 12/21983-0 - Estrutura eletrônica de materiais orgânicos para aplicações em camadas ativas de células solares
Beneficiário:Eliezer Fernando de Oliveira
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 13/25625-3 - Crescimento e propriedades estruturais de nanofios de GaN
Beneficiário:Ziani de Souza Schiaber
Linha de fomento: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado