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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Deposition of topological silicene, germanene and stanene on graphene-covered SiC substrates

Texto completo
Autor(es):
Matusalem, Filipe [1] ; Koda, Daniel S. [1] ; Bechstedt, Friedhelm [2] ; Marques, Marcelo [1] ; Teles, Lara K. [1]
Número total de Autores: 5
Afiliação do(s) autor(es):
[1] ITA, GMSN, BR-12228900 Sao Jose Dos Campos, SP - Brazil
[2] Friedrich Schiller Univ, Inst Festkorpertheorie & Opt, Max Wien Pl 1, D-07743 Jena - Germany
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: SCIENTIFIC REPORTS; v. 7, NOV 16 2017.
Citações Web of Science: 14
Resumo

Growth of X-enes, such as silicene, germanene and stanene, requires passivated substrates to ensure the survival of their exotic properties. Using first-principles methods, we study as-grown graphene on polar SiC surfaces as suitable substrates. Trilayer combinations with coincidence lattices with large hexagonal unit cells allow for strain-free group-IV monolayers. In contrast to the Si-terminated SiC surface, van der Waals-bonded honeycomb X-ene/graphene bilayers on top of the C-terminated SiC substrate are stable. Folded band structures show Dirac cones of the overlayers with small gaps of about 0.1 eV in between. The topological invariants of the peeled-off X-ene/graphene bilayers indicate the presence of topological character and the existence of a quantum spin Hall phase. (AU)

Processo FAPESP: 14/13907-7 - Propriedades físicas de materiais bidimensionais
Beneficiário:Lara Kühl Teles
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional