| Texto completo | |
| Autor(es): |
Martins, R. J.
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Siqueira, J. P.
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Clavero, I. Manglano
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Margenfeld, C.
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Fuendling, S.
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Vogt, A.
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Waag, A.
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Voss, T.
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Mendonca, C. R.
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Número total de Autores: 9
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| Afiliação do(s) autor(es): | [1] Univ Sao Paulo, Inst Fis Sao Carlos, Caixa Postal 369, BR-13560970 Sao Carlos, SP - Brazil
[2] Braunschweig Univ Technol, Inst Semicond Technol, Braunschweig - Germany
Número total de Afiliações: 2
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | Journal of Applied Physics; v. 123, n. 24 JUN 28 2018. |
| Citações Web of Science: | 1 |
| Resumo | |
We studied the near-band-edge emission (NBE) and yellow defect luminescence (YL) of GaN under below bandgap excitation with 40-fs laser pulses at a wavelength of 775 nm. Even though in this case three-photon absorption processes are required for the excitation of band-to-band transitions, fourth-order (I-NBE proportional to I-exc(4)) and sub-linear (I-YL proportional to I-exc(0.5)) dependencies were observed for the intensity of the NBE and YL as a function of the excitation intensity, respectively. Modelling the carrier dynamics with a few-level rate-equation model revealed that, for high excitation irradiances, the electron-hole population generated by three-photon absorption is such that the NBE recombination rate is intensified (exponent > 3) and, at the same time, the competition between the electron capturing and the defect-level emission rate suppresses the YL (exponent < 1). Published by AIP Publishing. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 11/12399-0 - Aplicações de pulsos de femtossegundos em óptica não linear: espectroscopia, formatação de pulsos e microfabricação |
| Beneficiário: | Cleber Renato Mendonça |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Temático |
| Processo FAPESP: | 12/00702-2 - Controle coerente de processos não lineares via algoritmo genético: estudo das modulações espectrais da fase por análise das componentes principais |
| Beneficiário: | Renato Juliano Martins |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |