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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Topology Driven g-Factor Tuning in Type-II Quantum Dots

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Autor(es):
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Llorens, J. M. [1] ; Lopes-Oliveira, V [2] ; Lopez-Richard, V [3] ; Cardozo de Oliveira, E. R. [3] ; Wewior, L. [1] ; Ulloa, J. M. [4] ; Teodoro, M. D. [3] ; Marques, G. E. [3] ; Garcia-Cristobal, A. [5] ; Hai, G-Q [6] ; Alen, B. [1]
Número total de Autores: 11
Afiliação do(s) autor(es):
[1] CEI UAM CSIC, CSIC, IMN CNM, Inst Micro & Nanotecnol, Isaac Newton 8, E-28760 Madrid - Spain
[2] Univ Estadual Mato Grosso do Sul, BR-79804970 Dourados, MS - Brazil
[3] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
[4] Univ Politecn Madrid, Inst Syst Based Optoelect & Microtechnol ISOM, Ciudad Univ S-N, E-28040 Madrid - Spain
[5] Univ Valencia, Inst Ciencia Mat ICMUV, E-46980 Paterna - Spain
[6] Univ Sao Paulo, Inst Fis Sao Carlos, BR-13560970 Sao Carlos, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 6
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: PHYSICAL REVIEW APPLIED; v. 11, n. 4 APR 4 2019.
Citações Web of Science: 1
Resumo

We investigate how the voltage control of the exciton lateral dipole moment induces a transition from singly to doubly connected topology in type-II InAs/GaAsxSb1-x quantum dots. The latter causes visible Aharonov-Bohm oscillations and a change of the exciton g factor, which are modulated by the applied bias. The results are explained in the frame of realistic (k) over right arrow . (p) over right arrow and effective Hamiltonian models and could open a venue for new spin quantum memories beyond the InAs/GaAs realm. (AU)

Processo FAPESP: 14/02112-3 - Fenômenos ópticos e de transporte em nano-dispositvos
Beneficiário:Victor Lopez Richard
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular