| Texto completo | |
| Autor(es): |
Ferreira, Diego H. O.
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Vaz, Isabela C. F.
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Rubinger, Rero M.
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Buono, Camila
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Rocha, Leandro S. R.
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Ponce, Miguel A.
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Longo, Elson
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Simoes, Alexandre Z.
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Moura, Francisco
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Número total de Autores: 9
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| Afiliação do(s) autor(es): | [1] Univ Fed Itajuba, Unifei Campus Itabira, Rua Irma Ivone Drumond 200, BR-35903087 Itabira, MG - Brazil
[2] Univ Fed Itajuba, Unifei Campus Itajubd, Av BPS 1303, BR-37500903 Itajuba, MG - Brazil
[3] Univ Mar del Plata UNMdP, Inst Mat Sci & Technol INTEMA, Natl Res Council, CONICET, Av Juan B Justo 4302, RA-7600 Mar Del Plata, Buenos Aires - Argentina
[4] Fed Univ Sao Carlos UFSCar, Sao Carlos, SP - Brazil
[5] Sao Paulo State Univ, Sch Engn, UNESP, Guaratingueta - Brazil
Número total de Afiliações: 5
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | PROCESSING AND APPLICATION OF CERAMICS; v. 13, n. 4, p. 360-367, 2019. |
| Citações Web of Science: | 0 |
| Resumo | |
Low resistive electrodes based on Co and Mo co-doped SnO2 were prepared by the conventional solid-state reaction and sintered at 1250 degrees C for 2 h. Concentration of Co2O3 precursor was unchanged (1 mol%), while MoO3 was varied (0.25, 0.50 to 0.75 mol%) to promote conductivity. The structural and microstructural characterization revealed that the samples have a rutile-type structure without secondary phases and large rutile grains with low porosity. Electrical measurements on DC mode have shown a semiconductor behaviour of the SnO2 samples doped with 0.25 and 0.75 at. % of Mo at temperatures below 50 K, indicating their suitability for low-temperature electronic applications. Impedance measurements indicate reduced energy barriers of less than 1 meV formed between highly conductive crystallites for the SnO2 samples doped with 0.25 and 0.75 at. % of Mo. The sample with Mo content of 0.50 at.% presented a higher energy barrier at a few hundredths of eV, with space charges at the crystallite boundaries. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 08/57872-1 - Instituto Nacional de Ciências dos Materiais em Nanotecnologia |
| Beneficiário: | Elson Longo da Silva |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Temático |
| Processo FAPESP: | 18/07238-6 - Sensores de gases de óxidos semicondutores não estequiométricos para detecção de atmosferas gasosas distintas em patente com registros INPI Argentina 20150103953/Brasil 10 2016 028383 3 |
| Beneficiário: | Elson Longo da Silva |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional |
| Processo FAPESP: | 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais |
| Beneficiário: | Elson Longo da Silva |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs |
| Processo FAPESP: | 18/20590-0 - Novos nanomateriais híbridos à base de elementos terras-rara renováveis para aplicações multifuncionais energéticas e de sensoriamento ambiental |
| Beneficiário: | Leandro Silva Rosa Rocha |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |