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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Rectification ratio and direction controlled by temperature in copper phthalocyanine ensemble molecular diodes

Texto completo
Autor(es):
Lopes, Carolina Sergi [1] ; Merces, Leandro [1] ; de Oliveira, Rafael Furlan [1] ; Starnini de Camargo, Davi Henrique [1, 2] ; Bof Bufon, Carlos Cesar [1, 2, 3]
Número total de Autores: 5
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Brazilian Ctr Res Energy & Mat CNPEM, Brazilian Nanotechnol Natl Lab LNNano, BR-13083970 Campinas, SP - Brazil
[2] Sao Paulo State Univ UNESP, Postgrad Program Mat Sci & Technol POSMAT, BR-17033360 Bauru, SP - Brazil
[3] Univ Estadual Campinas, Dept Phys Chem, Inst Chem IQ, BR-13084862 Campinas, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 3
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: NANOSCALE; v. 12, n. 18, p. 10001-10009, MAY 14 2020.
Citações Web of Science: 0
Resumo

Organic diodes and molecular rectifiers are fundamental electronic devices that share one common feature: current rectification ability. Since both present distinct spatial dimensions and working principles, the rectification of organic diodes is usually achieved by interface engineering, while changes in molecular structures commonly control the molecular rectifiers' features. Here, we report on the first observation of temperature-driven inversion of the rectification direction (IRD) in ensemble molecular diodes (EMDs) prepared in a vertical stack configuration. The EMDs are composed of 20 nm thick molecular ensembles of copper phthalocyanine in close contact with one of its fluorinated derivatives. The material interface was found to be responsible for modifying the junction's conduction mechanisms from nearly activationless transport to Poole-Frenkel emission and phonon-assisted tunneling. In this context, the current rectification was found to be dependent on the interplay of such distinct charge transport mechanisms. The temperature has played a crucial role in each charge transport transition, which we have investigated via electrical measurements and band diagram analysis, thus providing the fundamentals on the IRD occurrence. Our findings represent an important step towards simple and rational control of rectification in carbon-based electronic nanodevices. (AU)

Processo FAPESP: 16/25346-5 - Dispositivos capacitivos para caracterização de nanoestruturas híbridas: estudo das propriedades elétricas de estruturas metal-orgânicas de superfície -SURMOFs- e ftalocianinas metálicas
Beneficiário:Tatiana Parra Vello
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 14/25979-2 - Fabricação e caracterização de dispositivos e sistemas baseados em nanomembranas híbridas
Beneficiário:Carlos César Bof Bufon
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores
Processo FAPESP: 14/50906-9 - INCT 2014: em Materiais Complexos Funcionais (INOMAT)
Beneficiário:Fernando Galembeck
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 18/18136-0 - Nanodispositivos híbridos: transporte magnetoeletrônico e desenvolvimento de sensores baseados em moléculas/nanomembranas
Beneficiário:Leandro das Mercês Silva
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado