Busca avançada
Ano de início
Entree


Electroluminescence of monolayer WS2 in a scanning tunneling microscope: Effect of bias polarity on spectral and angular distribution of emitted light

Texto completo
Autor(es):
Mostrar menos -
Pena Roman, Ricardo Javier ; Pommier, Delphine ; Bretel, Remi ; Lopez, Luis E. Parra ; Lorchat, Etienne ; Chaste, Julien ; Ouerghi, Abdelkarim ; Le Moal, Severine ; Boer-Duchemin, Elizabeth ; Dujardin, Gerald ; Borisov, Andrey G. ; Zagonel, Luiz F. ; Schull, Guillaume ; Berciaud, Stephane ; Le Moal, Eric
Número total de Autores: 15
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: PHYSICAL REVIEW B; v. 106, n. 8, p. 7-pg., 2022-08-24.
Resumo

Inelastic electron tunneling in a scanning tunneling microscope is used to generate excitons in monolayer tungsten disulfide (WS2). Excitonic electroluminescence is measured both at positive and negative sample bias. Using optical spectroscopy and Fourier-space optical microscopy, we show that the bias polarity of the tunnel junction determines the spectral and angular distribution of the emitted light. At positive sample bias, only emission from excitonic species featuring an in-plane transition dipole moment is detected. Based on the spectral distribution of the emitted light, we infer that the dominant contribution is from charged excitons, i.e., trions. At negative sample bias, additional contributions from lower-energy excitonic species are evidenced in the emission spectra and the angular distribution of the emitted light reveals a mixed character of in-plane and out-of-plane transition dipole moments. (AU)

Processo FAPESP: 18/08543-7 - Emissão de luz por defeitos em materiais bidimensionais
Beneficiário:Ricardo Javier Peña Román
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 20/12480-0 - Emissão de fótons individuais a partir de defeitos pontuais e hot spots induzidos pelo substrato em semicondutores bidimensionais: um estudo via luminescência induzida em microscopia de varredura de tunelamento
Beneficiário:Ricardo Javier Peña Román
Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Processo FAPESP: 14/23399-9 - Heteroestruturas em nanofios semicondutores: emissores de luz nanométricos estudados por microscopia de varredura de tunelamento
Beneficiário:Luiz Fernando Zagonel
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores