| Texto completo | |
| Autor(es): |
Mori, C. A. B.
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Agopian, P. G. D.
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Martino, J. A.
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IEEE
Número total de Autores: 4
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | 2019 JOINT INTERNATIONAL EUROSOI WORKSHOP AND INTERNATIONAL CONFERENCE ON ULTIMATE INTEGRATION ON SILICON (EUROSOI-ULIS); v. N/A, p. 3-pg., 2019-01-01. |
| Resumo | |
In this paper we propose a new p-type Tunnel Field Effect Transistor based on the planar Back-Enhanced structure (BE-pTFET), by removing the p-type drain doping and using a back bias to obtain similar on-state behaviors to those of a conventional pTFET, while eliminating the ambipolar effect. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 17/26489-7 - Projeto e fabricação de um BE SOI Túnel-FET como elemento biossensor |
| Beneficiário: | Carlos Augusto Bergfeld Mori |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |