Identification of Self-Buffer Layer on GaN/glass Films Grown by Reactive Sputtering

Autor(es)

de Oliveira, R. S. ; Folli, H. A. ; Horta, I. M. ; Damasceno, B. S. ; Augstrose, J. H. C. ; Miyakawa, W. ; Pereira, A. L. J. ; Massi, M. ; Sobrinho, A. S. da Silva ; Leite, D. M. G.

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS; v. 26, p. 6-pg., 2023-01-01.

Resumo

This work reports on the properties of GaN films grown by reactive magnetron sputtering onto glass substrate kept at relatively low temperature (400 & DEG;C), using different RF power applied to the Ga target. Their structural, morphological, vibrational and optical properties were characterized by X-ray diffraction, atomic force and scanning electron microscopies, Raman spectroscopy and UV-vis spectrophotometry. The films have wurtzite phase with strong preferential orientation in the c-axis direction. Moreover, two clear contributions to the (0002) diffraction peak could be found, indicating the presence of two different morphologies, which were discussed in terms of the formation of an intermediate layer between the substrate and a dominating columnar-like microstructured film. (AU)

• Processo FAPESP: 22/02994-2 - Projeto Hidrogênio Verde (ProHVer): centro de estudos de fotoeletrodos visando a geração sustentável de H2 combustível
• Beneficiário: André Luis de Jesus Pereira
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Projeto Inicial
• Processo FAPESP: 15/06241-5 - Produção de filmes e heteroestruturas à base de GaN pela técnica de sputtering reativo para aplicações em dispositivos SAW
• Beneficiário: Douglas Marcel Gonçalves Leite
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Processo FAPESP: 11/50773-0 - Núcleo de excelência em física e aplicações de plasmas
• Beneficiário: Ricardo Magnus Osório Galvão
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático