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Characterization of nonlinear carrier dynamics in silicon strip nanowaveguides

Autor(es):
Aldaya, Ivan ; Dainese, Paulo ; Gil-Molina, Andres ; Pita, Julian L. ; Fragnito, Hugo L. ; IEEE
Número total de Autores: 6
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: 2017 SBMO/IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE AND OPTOELECTRONICS CONFERENCE (IMOC); v. N/A, p. 4-pg., 2017-01-01.
Resumo

Nonlinear carrier recombination dynamics is characterized in a 450 nm x 220 nm silicon nanowire by employing a time-resolved pump-and-probe experiment. Our results show that the recombination rate is faster at the early stages of the decay as compared to the final stages, in agreement with trap-assisted mechanism. We have also demonstrated that by operating at high carrier density, faster excess carrier generation and recombination can be obtained, which we have used to improve the speed of an all-optical FCA based silicon switch from about 7 to 1 ns. (AU)

Processo FAPESP: 13/20180-3 - Processos de espalhamento de luz em microestruturas fotônicas
Beneficiário:Paulo Clóvis Dainese Júnior
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores
Processo FAPESP: 15/04113-0 - Não linearidades em Guias de Onda baseados em Silício
Beneficiário:Ivan Aritz Aldaya Garde
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 15/11779-4 - Efeitos plasmônicos e não-lineares em grafeno acoplado a guias de onda ópticos
Beneficiário:Christiano José Santiago de Matos
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 12/50259-8 - Grafeno: fotônica e opto-eletrônica: colaboração UPM-NUS
Beneficiário:Antonio Helio de Castro Neto
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa SPEC