| Autor(es): |
Assalti, R.
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Doria, R. T.
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Pavanello, M. A.
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de Souza, M.
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Flandre, D.
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IEEE
Número total de Autores: 6
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | 2016 31ST SYMPOSIUM ON MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND DEVICES (SBMICRO); v. N/A, p. 4-pg., 2016-01-01. |
| Resumo | |
This paper investigates the origin of low-frequency noise in Asymmetric Self-Cascode Fully Depleted SOI nMOSFETs biased in linear regime with regards to the variation of gate voltage and the channel doping concentration through experimental results. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 15/08616-6 - Modelagem, Simulação e Fabricação de Circuitos Analógicos com Associação Série Assimétrica de Transistores SOI |
| Beneficiário: | Rafael Assalti |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |