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Laurindo Jr, V ; Mazur, Yu, I ; de Oliveira, E. R. Cardozo ; Alen, B. ; Ware, M. E. ; Marega Jr, E. ; Zhuchenko, Z. Ya ; Tarasov, G. G. ; Marques, G. E. ; Teodoro, M. D. ; Salamo, G. J.

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: PHYSICAL REVIEW B; v. 100, n. 3, p. 6-pg., 2019-07-19.

Resumo

A magnetophotoluminescence study of the carrier transfer with hybrid InAs/GaAs-quantum-dot-InGaA-squantum-well structures is carried out where we observe an unusual dependence of the photoluminescence (PL) on the GaAs barrier thickness at strong magnetic field and excitation density. For the case of a thin barrier the quantum-well (QW) PL intensity is observed to increase at the expense of a decrease in the quantum-dot (QD) PL intensity. This is attributed to changes in the interplane carrier dynamics in the QW and the wetting layer (WL) resulting from increasing the magnetic field along with changes in the coupling between QD excited states and exciton states in the QW and the WL. (AU)

• Processo FAPESP: 13/18719-1 - Dinâmica de portadores eletrônicos em nanoestruturas semicondutoras
• Beneficiário: Marcio Daldin Teodoro
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores
• Processo FAPESP: 14/19142-2 - Caracterização e processamento de nanoestruturas semicondutoras e aplicações como dispositivos
• Beneficiário: Gilmar Eugenio Marques
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Processo FAPESP: 18/01914-0 - Funcionalizando a emissão óptica em estruturas de tunelamento quântico em diferentes intervalos espectrais
• Beneficiário: Marcio Daldin Teodoro
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Processo FAPESP: 14/07375-2 - EMU concedido no projeto 2013/18719-1: sistema de medidas resolvidas no tempo
• Beneficiário: Marcio Daldin Teodoro
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Equipamentos Multiusuários