Resumo
Nanoestruturas semicondutoras com perfil de potencial de confinamento quântico unidimensional, como por exemplo, diodos de tunelamento ressonante (RTD), são altamente empregadas em dispositivos construídos em escala nanométrica destinadas a uma vasta aplicabilidade industrial e em ciência básica. Entretanto, as emissões ópticas destes dispositivos até o momento têm sido encontradas em uma estreita faixa espectral dominada pelos materiais que os formam. A funcionalização opto-eletrônica destas nanoestruturas com emissão/absorção óptica em diferentes regiões espectrais é o escopo deste projeto, cobrindo principalmente a região do infravermelho próximo e médio. Os resultados pretendidos abrirão possibilidades para amplas aplicações de novos dispositivos RTDs com resposta opto-eletrônica em regiões espectrais que ainda não foram exploradas. (AU)
Publicações científicas
(4)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
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