Ionizing Radiation Hardness Characterization of GaN HEMTs Depends on the Radiation Source

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Boas, A. C. V. ; Alberton, S. G. ; Medina, N. H. ; Aguiar, V. A. P. ; Melo, M. A. A. ; Santos, R. B. B. ; Giacomini, R. C. ; Cavalcante, T. V. ; Seixas, L. E. ; Finco, S. ; Palomo, F. R. ; Guazzelli, M. A.

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: 2022 22ND EUROPEAN CONFERENCE ON RADIATION AND ITS EFFECTS ON COMPONENTS AND SYSTEMS, RADECS; v. N/A, p. 4-pg., 2022-01-01.

Resumo

This work presents a radiation effects comparison in a COTS GaN HEMT observed when this transistor is irradiated with a 10 keV X-ray and a 1.25 MeV.-ray electromagnetic radiation. The results indicate that these two sources may affect this device differently. (AU)

• Processo FAPESP: 19/07767-1 - Reações nucleares com núcleos fracamente ligados ou com estrutura de cluster, radioativos e estáveis
• Beneficiário: Leandro Romero Gasques
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Processo FAPESP: 17/18181-2 - Estudo dos efeitos da radiação ionizante em um circuito retificador
• Beneficiário: Alexis Cristiano Vilas Bôas
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica