| Texto completo | |
| Autor(es): |
de Souza, Adelcio M.
;
Celino, Daniel R.
;
Ragi, Regiane
;
Romero, Murilo A.
Número total de Autores: 4
|
| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | Nanotechnology; v. 36, n. 37, p. 31-pg., 2025-09-15. |
| Resumo | |
This review addresses the compact modeling strategies for field-effect transistors (FETs) based on two-dimensional materials (2D-FETs), which offer excellent electrostatic control and strong scaling potential thanks to their atomically thin channels. Achieving the integration of 2D-FETs into high-density circuits demands accurate compact models, beyond those established for silicon MOSFETs. We discuss the characteristics of the main 2D material suitable for nanoelectronics and examine the main modeling approaches and challenges, with a focus on top-gated devices and transport regimes spanning from diffusive to ballistic. Special attention is given to non-idealities such as short-channel effects, interface traps, and non-ohmic heterodimensional (3D-2D) contacts. Finally, we offer perspectives on the future application of 2D semiconductors in nanoelectronics. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 18/13537-6 - Modelagem compacta de transistores MOS baseados em efeitos quânticos |
| Beneficiário: | Adelcio Marques de Souza |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Processo FAPESP: | 21/06569-1 - Tecnologias estratégicas para internet de alta velocidade |
| Beneficiário: | Evandro Conforti |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Temático |
| Processo FAPESP: | 24/04319-6 - Projeto e caracterização de Circuitos Integrados Fotônicos (PICs) para uso no fronthaul óptico de sistemas 6G |
| Beneficiário: | Adelcio Marques de Souza |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Programa Capacitação - Treinamento Técnico |