Binding energies of excitons trapped by ionized donors in semiconductors

Dos Santos‚ AS; Masili‚ M.; De Groote‚ JJ

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(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Binding energies of excitons trapped by ionized donors in semiconductors

Texto completo
Autor(es):	Dos Santos‚ AS ; Masili‚ M. ; De Groote‚ JJ Número total de Autores: 3
Tipo de documento:	Artigo Científico
Fonte:	Physical Review B; v. 64, n. 19, p. 195210, 2001.

Processo FAPESP:	97/06271-1 - Estudo de sistemas quânticos de poucos corpos e álgebra de Lie aplicada a cadeiras moleculares
Beneficiário:	Jean-Jacques Georges Soares De Groote
Modalidade de apoio:	Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores


Processo FAPESP:	99/11363-8 - Fotoionização por múltiplos fótons no formalismo hiperesférico
Beneficiário:	Mauro Masili
Modalidade de apoio:	Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores

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