X-ray diffraction mapping of strain fields and chemical composition of SiGe: Si (001) quantum dot molecules

Leite‚ MS; Gray‚ JL; Hull‚ R.; Floro‚ JA; Magalhaes-Paniago‚ R.; Medeiros-Ribeiro‚ G.

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(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

X-ray diffraction mapping of strain fields and chemical composition of SiGe: Si (001) quantum dot molecules

Texto completo
Autor(es):	Leite‚ MS ; Gray‚ JL ; Hull‚ R. ; Floro‚ JA ; Magalhaes-Paniago‚ R. ; Medeiros-Ribeiro‚ G. Número total de Autores: 6
Tipo de documento:	Artigo Científico
Fonte:	Physical Review B; v. 73, n. 12, p. 121308, 2006.

Processo FAPESP:	03/09374-9 - Crescimento de sistemas nanoestruturados epitaxiais autoformados: propriedades estruturais.
Beneficiário:	Marina Soares Leite
Modalidade de apoio:	Bolsas no Brasil - Doutorado

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