Graded-channel fully depleted silicon-on-insulator nMOSFET for reducing the parasitic bipolar effects

Pavanello‚ M.A.; Martino‚ J.A.; Flandre‚ D.

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(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Graded-channel fully depleted silicon-on-insulator nMOSFET for reducing the parasitic bipolar effects

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Autor(es):	Pavanello‚ M.A. ; Martino‚ J.A. ; Flandre‚ D. Número total de Autores: 3
Tipo de documento:	Artigo Científico
Fonte:	Solid-State Electronics; v. 44, n. 6, p. 917-922, 2000.

Processo FAPESP:	00/00032-0 - Expressão dos genes p53, c-erbb2-2 e Bcl-2 no ducto normal, carcinoma ductal in situ e carcinoma ductal invasivo na mesma mama
Beneficiário:	Anna Leticia de Oliveira Cestari
Modalidade de apoio:	Bolsas no Brasil - Iniciação Científica

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