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(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Low voltage I-V characteristics in magnetic tunneling junctions

Texto completo
Autor(es):
Cabrera‚ GG ; others
Número total de Autores: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Applied Physics Letters; v. 80, n. 10, p. 1782-1784, 2002.
Processo FAPESP: 00/09434-3 - Propriedades dinâmicas de sistemas quânticos de spin/propriedades de transporte dependentes do spin
Beneficiário:Guillermo Gerardo Cabrera Oyarzun
Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa