Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 µm

Da Silva‚ MJ; Martini‚ S.; Lamas‚ TE; Quivy‚ AA; Da Silva‚ ECF; Leite‚ JR

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(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 µm

Texto completo
Autor(es):	Da Silva‚ MJ ; Martini‚ S. ; Lamas‚ TE ; Quivy‚ AA ; Da Silva‚ ECF ; Leite‚ JR Número total de Autores: 6
Tipo de documento:	Artigo Científico
Fonte:	Microelectronics Journal; v. 34, n. 5, p. 631-633, 2003.

Processo FAPESP:	98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
Beneficiário:	Gennady Gusev
Modalidade de apoio:	Auxílio à Pesquisa - Temático


Processo FAPESP:	99/08979-7 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser
Beneficiário:	Marcelo Jacob da Silva
Modalidade de apoio:	Bolsas no Brasil - Doutorado

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