Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser

• Processo: 99/08979-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2003
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alain André Quivy
• Beneficiário: Marcelo Jacob da Silva
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Arsenieto de índio e gálio Poços quânticos Epitaxia por feixe molecular
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Afm | Ingaas | Mbe (Molecular Beam Epitaxy) | Pontos Quanticos (Qds) | Rheed | Tem

Resumo

Nesse projeto, estudaremos o alinhamento vertical de pontos quânticos (QDs) de InGaAs. O processo de alinhamento vem sendo proposto como uma maneira promissora de se produzir QDs capazes de luminescer na região de 1,3 micrômetros. O interesse nessa região se deve ao fato da atenção das fibras ópticas atuais possuírem um mínimo na curva de absorção. O trabalho envolverá o crescimento de dois tipos de amostras, conhecidos na literatura como closely stacked QDs e columnar QDs. Esses dois métodos de alinhamento utilizam o acoplamento dos potenciais dos QDs empilhados para aumentar as dimensões efetivas das estruturas e deslocar a luminescência para baixa energia (na vizinhança de 1,3 micrômetros). A caracterização morfológica das estruturas será realizada através das técnicas de TEM, RX e AFM. As medidas de PL e PLE fornecerão informações valiosas sobre as propriedades ópticas e eletrônicas das camadas. Estruturas do tipo laser serão fabricadas e testadas para conferir a qualidade das amostras. (AU)

Publicações científicas

(9)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

SILVA, M. J. DA; QUIVY, A. A.; GONZÁLEZ-BORRERO, P. P.; MAREGA JUNIOR, E.. Maximization of the InAs quantum-dot density through the growth of an intentionally non-homogeneous sample. Journal of Crystal Growth, v. 236, n. 1/3, p. f^4145, Mar. 2002. (99/08979-7)

MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; LAMAS, T. E.; SILVA, M. J. DA; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 101-105, Apr. 2003. (99/08979-7, 99/10510-7, 01/14106-8)

DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA; GONZALEZ-BORRERO‚ PP; MAREGA‚ E.. Study of the spontaneous alignment of InAs quantum dots along the surface steps as a function of the InAs coverage. Thin Solid Films, v. 410, n. 1, p. 188-193, 2002. (95/05651-0, 99/01225-7, 99/08979-7)

LAMAS‚ T. E.; QUIVY‚ A. A.; MARTINI‚ S.; SILVA‚ M. J.; LEITE‚ J. R.. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1/2, p. 25-30, Mar. 2005. (99/08979-7, 98/12779-0, 02/10185-3, 95/05651-0, 99/10510-7, 01/14106-8)

LAMAS‚ TE; MARTINI‚ S.; DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA; LEITE‚ JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs (001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5, p. 701-703, 2003. (98/12779-0, 01/14106-8, 99/10510-7, 99/08979-7, 95/05651-0)

DA SILVA‚ MJ; MARTINI‚ S.; LAMAS‚ TE; QUIVY‚ AA; DA SILVA‚ ECF; LEITE‚ JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 µm. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5, p. 631-633, 2003. (98/12779-0, 99/08979-7)

SILVA, M. J. DA; QUIVY, A. A.; MARTINI, S.; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Optical response at 1.3 mu m and 1.5 mu m with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 181-185, Apr. 2003. (99/08979-7, 99/10510-7, 01/14106-8)

MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; SILVA, M. J. DA; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.; ABRAMOF, E.. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 11, p. 7050-7052, Dec. 2003. (01/14106-8, 98/12779-0, 00/12529-6, 99/10510-7, 99/08979-7)

DUARTE, C. A.; SILVA, E. C. F. DA; QUIVY, A. A.; SILVA, M. J. DA; MARTINI, S.; LEITE, J. R.; MENESES, E. A.; LAURETO, E.. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 93, n. 10, p. 6279-6283, May 2003. (99/08979-7, 95/05651-0, 98/12779-0, 00/08794-6)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

SILVA, Marcelo Jacob da. Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1,3\'mü\'m e 1,5\'mü\'m. 2003. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.

SILVA, Marcelo Jacob da. Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1,3 m e 1,5 m.. 2003. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.