Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1,3 m e 1,5 m.

Autor(es)

Marcelo Jacob da Silva

• Tipo de documento: Tese de Doutorado
• Imprenta: São Paulo.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI)
• Data de defesa: 2003-12-03

Membros da banca

Alain Andre Quivy; Fernando Iikawa; Wagner Nunes Rodrigues; Maria Cecilia Barbosa da Silveira Salvadori; Patrícia Lustoza de Souza

• Orientador: Alain Andre Quivy

Resumo

Nesse trabalho, estudamos o crescimento epitaxial por feixe molecular de pontos quânticos de In/GaAs, bem como suas propriedades ópticas e morfológicas. O método de crescimento em baixa taxa foi usado para a fabricação de estruturas de pontos quânticos com alturas médias suficientes para a obtenção de resposta óptica nas faixas de 1,3 m e 1,5 m em temperatura ambiente. O interesse na manufatura desse tipo de amostra decorre do fato de serem estes o comprimento de onda de mínima atenuação de sinal em redes de transmissão por fibras ópticas. O estudo sistemático das etapas envolvidas na evolução de pontos quânticos de superfície no regime de baixa taxa de deposição permitiu entender como tais estruturas, com alturas médias bem maiores que as normalmente obtidas na literatura, puderam ser alcançadas. As condições de crescimento foram otimizadas para a produção de emissões estreitas nas faixas de comprimento de onda de interesse. (AU)

• Processo FAPESP: 99/08979-7 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser
• Beneficiário: Marcelo Jacob da Silva
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado