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Caracterizacao por tecnicas spm de pontos quanticos de ingaas crescidos pela tecnica mbe

Processo: 99/01225-7
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de maio de 1999
Data de Término da vigência: 30 de abril de 2001
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Alain André Quivy
Beneficiário:Alain André Quivy
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Arsenieto de índio e gálio  Microscopia de força atômica  Microscopia de tunelamento  Pontos quânticos  Arsenieto de gálio 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Afm | Gaas | Ingaas | Mbe | Pontos Quanticos | Stm

Resumo

Neste projeto, estamos solicitando vários conjuntos de pontas e alguns acessórios a serem usados com o microscópio de força atômica e de tunelamento recentemente adquiridos pela professora Cecília Salvadori. Pretendemos investigar as propriedades estruturais e eletrônicas de pontos quânticos de InGaAs crescidos sobre GaAs em nosso grupo pela técnica de epitaxial por feixe molecular (MBE). Usaremos os modos de contato, quase-contato, modulação de força, detecção de fase, força lateral e espectroscopia de tunelamente para obtermos um conjunto completo de dados sobre estas estruturas. Outras técnicas, tais como fotoluminescência e microscopia de transmissão serão também usadas. (AU)

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA; GONZALEZ-BORRERO‚ PP; MAREGA‚ E.. Study of the spontaneous alignment of InAs quantum dots along the surface steps as a function of the InAs coverage. Thin Solid Films, v. 410, n. 1, p. 188-193, . (95/05651-0, 99/01225-7, 99/08979-7)