Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1,3\'mü\'m e 1,5\'mü\'m

Autor(es)

Marcelo Jacob da Silva

• Tipo de documento: Tese de Doutorado
• Imprenta: São Paulo. , ilustrações.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI)
• Data de defesa: 2003-12-03
• Orientador: Alain Andre Quivy
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
• Indexada em: Banco de Dados Bibliográficos da USP-DEDALUS
• Localização: Universidade de São Paulo. Biblioteca do Instituto de Física; IF/TIFUSP; S586e

Resumo

Neste trabalho, estudamos o crescimento epitaxial por feixe molecular de pontos quânticos de InAs/GaAs, bem como sua propriedades ópticas e morfológicas. O método de crescimento, em baixa taxa foi usado para a fabricação de estruturas de pontos quânticos com alturas médias suficientes para a obtenção de resposta óptica nas faixas de 1,3\'mü\'m e 1,5\'mü\'m em temperatura ambiente. O interesse na manufatura desse tipo de amostra decorre do fato de serem estes os comprimento de onda de mínima atenuação de sinal em redes de transmissão por fibras ópticas. O estudo sistemático das etapas envolvidas na evolução de pontos quânticos de superfície no regime de baixa taxa de deposição permitiu entender como tais estruturas, com alturas médias bem maiores que as normalmente obtidas na literatura, puderam ser alcançadas. (AU)

• Processo FAPESP: 99/08979-7 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser
• Beneficiário: Marcelo Jacob da Silva
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado