Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors

Justo‚ J.F.; Assali‚ L.V.C.

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(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors

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Autor(es):	Justo‚ J.F. ; Assali‚ L.V.C. Número total de Autores: 2
Tipo de documento:	Artigo Científico
Fonte:	Applied Physics Letters; v. 79, n. 22, p. 3630-3632, 2001.

Processo FAPESP:	00/11438-7 - Modelamento teórico de propriedades eletrônicas e estruturais de ligas semicondutoras
Beneficiário:	Joao Francisco Justo Filho
Modalidade de apoio:	Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores

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