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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Red shift and higher photoluminescence emission of CCTO thin films undergoing pressure treatment

Texto completo
Autor(es):
Sequinel, T. [1] ; Garcia, I. G. [1] ; Tebcherani, S. M. [2] ; Kubaski, E. T. [3] ; Oliveira, L. H. [1] ; Siu Li, M. [4] ; Longo, E. [1] ; Varela, J. A. [1]
Número total de Autores: 8
Afiliação do(s) autor(es):
[1] UNESP, Inst Quim, BR-14800900 Araraquara, SP - Brazil
[2] UTFPR, Dept Prod Engn, BR-84016210 Ponta Grossa, PR - Brazil
[3] Itajara Minerios Ltda, BR-84010050 Ponta Grossa, PR - Brazil
[4] Univ Sao Paulo, Inst Fis, BR-13566590 Sao Carlos, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Journal of Alloys and Compounds; v. 583, p. 488-491, JAN 15 2014.
Citações Web of Science: 7
Resumo

CCTO thin films were deposited on Pt(111)/Ti/SiO2/Si substrates using a chemical (polymeric precursor) and pressure method. Pressure effects on CCTO thin films were evaluated by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and optical properties which revealed that a pressure film (PF) is denser and more homogeneous than a chemical film (CF). Pressure also causes a decrease in the band gap and an increase in the photoluminescence (PL) emission of CCTO films which suggests that the pressure facilitates the displacement of Ti in the titanate clusters and the charge transference from TiO6 to {[}TiO5V0z], {[}TiO5V0z] to {[}CaO11V0z] and {[}TiO5V0z] to {[}CuO4](x). (C) 2013 Elsevier B. V. All rights reserved. (AU)

Processo FAPESP: 98/14324-0 - Multidisciplinary Center for Development of Ceramic Materials
Beneficiário:Elson Longo da Silva
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs
Processo FAPESP: 09/11099-2 - PREPARAÇÃO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE CaCu3Ti4O12 À ALTA PRESSÃO EM SUBSTRATO DE SILÍCIO COM DIFERENTES ELETRODOS
Beneficiário:Thiago Sequinel
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado