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Influência de fatores extrínsecos sobre as propriedades de filmes ultrafinos de PZT

Processo: 10/16504-0
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de março de 2011
Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2013
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Eudes Borges de Araújo
Beneficiário:Eudes Borges de Araújo
Instituição Sede: Faculdade de Engenharia (FEIS). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Ilha Solteira. Ilha Solteira , SP, Brasil
Pesquisadores associados: Reginaldo Naves dos Reis
Assunto(s):Dielétricos  Ferroeletricidade  Filmes finos 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Ferroelétricos | Filmes finos | Pzt | Materiais dielétricos

Resumo

O fenômeno da ferroeletricidade exibe uma dependência intrínseca com relação à dimensão das amostras devido ao diferente grau de ordenamento que se estabelece em superfícies ou interfaces. O presente projeto de pesquisa destina-se ao estudo da influência da redução das dimensões sobre as propriedades estruturais, microestruturais e dielétricas de filmes finos e ultrafinos do sistema ferroelétrico PbZr1-xTixO3 (PZT). Composições específicas do Contorno de Fases Morfotrópico (MPB), no diagrama de fases temperatura-composição (T-x), serão investigadas buscando estabelecer a relação mútua entre fatores extrínsecos, tais como frações composicionais, espessura, stress residual e campo elétrico, e as transições de fases estruturais em filmes de PZT. A investigação deve promover uma redefinição dos limites para a existência da fase monoclínica no diagrama de fases T-x e circunstanciar a compreensão da fenomenologia responsável pelos efeitos decorrentes da redução de tamanho em filmes de PZT. (AU)

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Publicações científicas (10)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
LIMA, E. C.; ARAUJO, E. B.; SOUZA FILHO, A. G.; PASCHOAL, A. R.; BDIKIN, I. K.; KHOLKIN, A. L.. Structural depth profile and nanoscale piezoelectric properties of randomly oriented Pb(Zr0.50Ti0.50)O-3 thin films. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 45, n. 21, . (07/08534-3, 10/16504-0)
CORNELIUS, T. W.; MOCUTA, C.; ESCOUBAS, S.; MERABET, A.; TEXIER, M.; LIMA, E. C.; ARAUJO, E. B.; KHOLKIN, A. L.; THOMAS, O.. Piezoelectric response and electrical properties of Pb(Zr1-xTix)O-3 thin films: The role of imprint and composition. Journal of Applied Physics, v. 122, n. 16, . (10/16504-0)
DAVYDOK, A.; CORNELIUS, T. W.; MOCUTA, C.; LIMA, E. C.; ARAUJO, E. B.; THOMAS, O.. In situ X-ray diffraction studies on the piezoelectric response of PZT thin films. Thin Solid Films, v. 603, p. 29-33, . (10/16504-0)
ARAUJO, E. B.; LIMA, E. C.; BDIKIN, I. K.; KHOLKIN, A. L.. Imprint effect in PZT thin films at compositions around the morphotropic phase boundary. Ferroelectrics, v. 498, n. 1, 2, SI, p. 18-26, . (07/08534-3, 10/16504-0)
LIMA, E. C.; ARAUJO, E. B.. Role of residual stress on phase transformations of Pb(Zr0.50Ti0.50)O-3 thin films obtained from chemical route. Ferroelectrics, v. 499, n. 1, 3, SI, p. 28-35, . (07/08534-3, 10/16504-0)
LIMA, E. C.; ARAUJO, E. B.; BDIKIN, I. K.; KHOLKIN, A. L.. Effect of Composition on the Physical Properties at Nanoscale of PZT Thin Films. Ferroelectrics, v. 465, n. 1, SI, p. 106-114, . (07/08534-3, 10/16504-0, 13/12642-7)
LIMA, E. C.; ARAUJO, E. B.; BDIKIN, I. K.; KHOLKIN, A. L.. The self-polarization effect in Pb(Zr0.50Ti0.50)O-3 thin films with no preferential orientation. Materials Research Bulletin, v. 47, n. 11, p. 3548-3551, . (07/08534-3, 10/16504-0)
LIMA, E. C.; ARAUJO, E. B.; BDIKIN, I. K.; KHOLKIN, A. L.. Effect of Composition on the Physical Properties at Nanoscale of PZT Thin Films. Ferroelectrics, v. 465, n. 1, p. 9-pg., . (07/08534-3, 13/12642-7, 10/16504-0)
ARAUJO, E. B.; LIMA, E. C.; BDIKIN, I. K.; KHOLKIN, A. L.. Imprint effect in PZT thin films at compositions around the morphotropic phase boundary. Ferroelectrics, v. 498, n. 1, p. 9-pg., . (07/08534-3, 10/16504-0)