Filmes finos de carbono amorfo hidrogenado contendo também halogênios fabricados por deposição à vapor química assistido por plasma (PECVD) e deposição e implantação iônica por imersão em plasma (PIIID)

Resumo

Serão produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID) filmes finos de carbono amorfo hidrogenado, halogenado, a-C:H:X, onde X é um halogênio, e similares como a-C:H:Si:X. A estrutura e composição química destes filmes serão caracterizadas por Espectroscopia de Foto-elétrons de Raios-X (XPS) e Espectroscopia no Infravermelho por Transformada de Fourier (FTIR). Propriedades ópticas dos filmes, como o índice de refração, coeficiente de absorção e gap óptico, serão calculados a partir de dados obtidos por Espectroscopia no Ultravioleta-visivel-infravermelho próximo (UVS). É pleiteado um acessório para permitir obter espectros de refletância com o espectrofotômetro, que permitirão estes cálculos mesmo na ausência de franjas de interferência nos espectros de transmitância, que é uma restrição no método comumente empregado. As diferenças tanto nas estruturas e composições químicas dos filmes e nas propriedades ópticas dos materiais obtidas pelas duas técnicas serão examinadas. Medidas de ângulo de contato também serão feitas. (AU)