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Colaboração da UFABC om a Universidade Nacional de Yokohama para o estudo teórico de nanoestruturas em interfaces e inseridas em materiais bulk

Processo: 13/22577-8
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Data de Início da vigência: 15 de abril de 2014
Data de Término da vigência: 14 de março de 2015
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Gustavo Martini Dalpian
Beneficiário:Gustavo Martini Dalpian
Pesquisador visitante: Hannes Harald Raebiger
Instituição do Pesquisador Visitante: Yokohama National University, Japão
Instituição Sede: Centro de Ciências Naturais e Humanas (CCNH). Universidade Federal do ABC (UFABC). Ministério da Educação (Brasil). Santo André , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:11/19924-2 - Estudo e desenvolvimento de novos materiais avançados: eletrônicos, magnéticos e nanoestruturados: uma abordagem interdisciplinar, AP.TEM
Assunto(s):Estados eletrônicos  Materiais nanoestruturados  Semicondutores  Teoria do funcional da densidade 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:defeitos | Isolantes | nanoestruturas | semicondutores | teoria do funcional da densidade | Estados Eletrônicos

Resumo

vide inglês (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
RAEBIGER, HANNES; PADILHA, ANTONIO CLAUDIO M.; ROCHA, ALEXANDRE REILY; DALPIAN, GUSTAVO M.. Electronic mechanism for resistive switching in metal/insulator/metal nanodevices. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 53, n. 29, . (11/21719-8, 13/22577-8, 15/05830-7)
PADILHA, A. C. M.; RAEBIGER, H.; ROCHA, A. R.; DALPIAN, G. M.. Charge storage in oxygen deficient phases of TiO2: defect Physics without defects. SCIENTIFIC REPORTS, v. 6, . (10/16202-3, 15/05830-7, 16/11429-6, 11/19924-2, 11/21719-8, 13/22577-8)