Colaboração da UFABC om a Universidade Nacional de Yokohama para o estudo teórico de nanoestruturas em interfaces e inseridas em materiais bulk

Processo:	13/22577-8
Modalidade de apoio:	Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Data de Início da vigência:	15 de abril de 2014
Data de Término da vigência:	14 de março de 2015
Área do conhecimento:	Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada

Pesquisador responsável:	Gustavo Martini Dalpian
Beneficiário:	Gustavo Martini Dalpian
Pesquisador visitante:	Hannes Harald Raebiger
Instituição do Pesquisador Visitante:	Yokohama National University, Japão

Instituição Sede:	Centro de Ciências Naturais e Humanas (CCNH). Universidade Federal do ABC (UFABC). Santo André , SP, Brasil

Vinculado ao auxílio:	11/19924-2 - Estudo e desenvolvimento de novos materiais avançados: eletrônicos, magnéticos e nanoestruturados: uma abordagem interdisciplinar, AP.TEM

Assunto(s):	Estados eletrônicos Materiais nanoestruturados Semicondutores Teoria do funcional da densidade
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:	defeitos \| Isolantes \| nanoestruturas \| semicondutores \| teoria do funcional da densidade \| Estados Eletrônicos

Resumo

vide inglês (AU)

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Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

PADILHA, A. C. M.; RAEBIGER, H.; ROCHA, A. R.; DALPIAN, G. M.. Charge storage in oxygen deficient phases of TiO2: defect Physics without defects. SCIENTIFIC REPORTS, v. 6, JUL 1 2016. (10/16202-3, 15/05830-7, 16/11429-6, 11/19924-2, 11/21719-8, 13/22577-8)

RAEBIGER, HANNES; PADILHA, ANTONIO CLAUDIO M.; ROCHA, ALEXANDRE REILY; DALPIAN, GUSTAVO M.. Electronic mechanism for resistive switching in metal/insulator/metal nanodevices. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 53, n. 29, JUL 15 2020. (11/21719-8, 13/22577-8, 15/05830-7)

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