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Simulações ab initio de sistemas memristivos: da matéria prima ao dispositivo

Processo: 11/21719-8
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de março de 2012
Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2015
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Gustavo Martini Dalpian
Beneficiário:Antonio Cláudio Michejevs Padilha
Instituição Sede: Centro de Ciências Naturais e Humanas (CCNH). Universidade Federal do ABC (UFABC). Ministério da Educação (Brasil). Santo André , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:10/16202-3 - Propriedades eletrônicas, magnéticas e de transporte em nanoestruturas, AP.TEM
Bolsa(s) vinculada(s):15/05830-7 - Simulações ab initio de sistemas memristivos: da matéria prima ao dispositivo, BE.EP.DR
Assunto(s):Dióxido de titânio   Pentóxido de tântalo   Memristor   Teoria do funcional da densidade
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:density functional theory | memristive devices | memristors | resistance switching | tantalum oxide | titan oxide | Teoria em Estrutura Eletrônica

Resumo

Memristores e Dispositivos Memristivos foram propostos há quase 40 anos atrás, mas apenas em 2008 foram devidamente caracterizados em laboratório. Tais dispositivos são fortes candidatos a proporcionar uma mudança de paradigma na fabricação de dispositivos eletrônicos para armazenamento volátil e não volátil de dados, através da confecção de sistemas mais densos, mais rápidos e mais duráveis que os atuais. Sua aplicação imediata no entanto ainda não é possível, pois não há entendimento suficiente de seu funcionamento a nível atomístico para que seu funcionamento possa ser devidamente parametrizado. Neste projeto temos como objetivo utilizar técnicas ab initio do estado da arte, como DFT e transporte no formalismo de funções de Green fora do equilíbrio para estudar os constituintes de um dispositivo separadamente e em conjunto, de modo a contribuir no entendimento da estrutura eletrônica, configuração dos átomos e o transporte eletrônico destes sistemas em um nível fundamental. (AU)

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
RAEBIGER, HANNES; PADILHA, ANTONIO CLAUDIO M.; ROCHA, ALEXANDRE REILY; DALPIAN, GUSTAVO M.. Electronic mechanism for resistive switching in metal/insulator/metal nanodevices. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 53, n. 29, . (11/21719-8, 13/22577-8, 15/05830-7)
PADILHA, A. C. M.; RAEBIGER, H.; ROCHA, A. R.; DALPIAN, G. M.. Charge storage in oxygen deficient phases of TiO2: defect Physics without defects. SCIENTIFIC REPORTS, v. 6, . (10/16202-3, 15/05830-7, 16/11429-6, 11/19924-2, 11/21719-8, 13/22577-8)