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EUROSOI-ULIS 2023 - Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon

Processo: 23/03006-1
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 08 de maio de 2023
Data de Término da vigência: 12 de maio de 2023
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:Michelly de Souza
Beneficiário:Michelly de Souza
Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:19/15500-5 - Simulação atomística das propriedades elétricas de nanofios transistores MOS, AP.R
Assunto(s):Circuitos integrados  Transistores MOSFET  Tecnologia SOI 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Circuitos Integrados | Mosfet | Silício sobre isolante | Tecnologia SOI | Materiais e Componentes Semicondutores
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
DE SOUZA, MICHELLY; CERDEIRA, ANTONIO; ESTRADA, MAGALI; CASSE, MIKAEL; BARRAUD, SYLVAIN; VINET, MAUD; FAYNOT, OLIVIER; PAVANELLO, MARCELO A.. Experimental assessment of gate-induced drain leakage in SOI stacked nanowire and nanosheet nMOSFETs at high temperatures. Solid-State Electronics, v. 208, p. 4-pg., . (19/15500-5, 23/03006-1)
SILVA, LUCAS MOTA BARBOSA DA; PAVANELLO, MARCELO ANTONIO; CASSE, MIKAEL; BARRAUD, SYLVAIN; VINET, MAUD; FAYNOT, OLIVIER; DE SOUZA, MICHELLY. Impact of series resistance on the drain current variability in inversion mode and junctionless nanowire transistors. Solid-State Electronics, v. 208, p. 4-pg., . (23/03006-1, 19/15500-5)