CV Lattes
GoogleMyCitations
ResearcherID
ORCID
Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros (FEI). Centro Universitário da FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo (Instituição-sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui graduação em Engenharia Elétrica pelo Centro Universitário da FEI (2002), mestrado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2005) e doutorado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2008). Atuou como Pesquisadora de pós-doutorado do Centro Universitário da FEI entre 2008 e 2013, onde, atualmente, é Professora Titular. Atualmente, é o coordenadora dos programas PBIC de bolsas de Iniciação Científica (IC), Iniciação Tecnológica e de Inovação (ITI) e Iniciação Didática (PROBID) do Centro Universitário FEI. Diretora Administrativa da Sociedade Brasileira de Microeletrônica, eleita para o biênio 2020-2022. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Materiais e Componentes Semicondutores, atuando principalmente nas áreas de caracterização elétrica de tecnologia SOI CMOS e modelagem de transistores SOI CMOS, nos seguintes temas: transistores de alto desempenho analógico para aplicações de baixo consumo, eletrônica criogênica e circuitos analógicos. (Fonte: Currículo Lattes)
A tecnologia Silício Sobre Isolante (SOI) se tornou uma real alternativa para a tecnologia Metal-Óxido-Semicondutor Complementar (CMOS) convencional para a implementação de circuitos integrados em altíssima escala de integração, tanto em aplicações analógicas quanto digitais. Os transistores SOI possuem uma série de vantagens sobre a tecnologia MOS convencional. No entanto, estes dispo...
A tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-On-Insulator - SOI) tem se constituído numa importante alternativa para sustentar a contínua redução das dimensões enfrentada pela tecnologia CMOS. Atualmente uma grande quantidade de estudos pode ser encontrada com respeito à operação de transistores SOI em circuitos digitais. Entretanto, poucas publicações têm demonstrado o excelente poten...
A tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-On-Insulator - SOI) tem se constituído numa importante alternativa para sustentar a contínua redução das dimensões enfrentada pela tecnologia CMOS convencional, devido a melhorias tais como redução nas capacitâncias de junção e maior mobilidade dos portadores na região de canal, minimizando ou retardando para gerações tecnológicas mais compl...
| 13 | Auxílios à pesquisa concluídos |
| 4 | Bolsas no país concluídas |
| 17 | Todos os Auxílios e Bolsas |
| Processos vinculados | |
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
SOUZA, Michelly de. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas.. Tese (Doutorado) - Escola Politécnica. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo. (05/00875-0)