| Processo: | 92/03162-3 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Data de Início da vigência: | 01 de dezembro de 1992 |
| Data de Término da vigência: | 31 de maio de 1995 |
| Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos |
| Pesquisador responsável: | Jacobus Willibrordus Swart |
| Beneficiário: | Jacobus Willibrordus Swart |
| Instituição Sede: | Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Dispositivos eletrônicos Semicondutores Arsenieto de gálio |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Algaas/Gaas | Gaas | Hbt | Plasma Etching |
Resumo
Desenvolvimento de processo para fabricação de HBTs com compostos III-V. Desenvolvimento de processo de plasma etching para compostos III-V. Estudo e minimização do efeito de área de emissor e HBTs para obtenção de dispositivos de pequenas dimensões. Caracterização em alta frequência dos dispositivos obtidos. (AU)
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