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Projeto de circuitos integrados monolíticos de micro-ondas em arseneto de gálio

Processo: 92/00411-2
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Vigência (Início): 01 de maio de 1992
Vigência (Término): 31 de outubro de 1992
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Telecomunicações
Pesquisador responsável:Fatima Salete Correra
Beneficiário:Fatima Salete Correra
Anfitrião: Bernard D. Geller
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Local de pesquisa : Communications Satellite Corporation (COMSAT), Estados Unidos  
Assunto(s):Circuitos integrados   Arsenieto de gálio   Amplificadores

Resumo

Realização de atividades na área de projeto de circuitos integrados monolíticos de micro-ondas em substratos de arseneto de gálio, bem como em novos dispositivos empregando heterojunções AlGaAs/GaAs. Essas atividades serão diretamente relacionadas com um ou mais dos seguintes tópicos, atualmente em andamento no COMSAT: amplificadores de potência de alta eficiência; amplificador de potência a HEMT; modelamento não linear de HEMTs; amplificadores e osciladores a HBT. (AU)