| Processo: | 92/00411-2 |
| Linha de fomento: | Bolsas no Exterior - Pesquisa |
| Vigência (Início): | 01 de maio de 1992 |
| Vigência (Término): | 31 de outubro de 1992 |
| Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Telecomunicações |
| Pesquisador responsável: | Fatima Salete Correra |
| Beneficiário: | Fatima Salete Correra |
| Anfitrião: | Bernard D. Geller |
| Instituição-sede: | Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Local de pesquisa : | Communications Satellite Corporation (COMSAT), Estados Unidos |
| Assunto(s): | Circuitos integrados Arsenieto de gálio Amplificadores |
Resumo Realização de atividades na área de projeto de circuitos integrados monolíticos de micro-ondas em substratos de arseneto de gálio, bem como em novos dispositivos empregando heterojunções AlGaAs/GaAs. Essas atividades serão diretamente relacionadas com um ou mais dos seguintes tópicos, atualmente em andamento no COMSAT: amplificadores de potência de alta eficiência; amplificador de potência a HEMT; modelamento não linear de HEMTs; amplificadores e osciladores a HBT. (AU) | |