EMU concedido no processo 2024/08527-2: sistema de epitaxia por feixe molecular (MBE)

• Processo: 25/06758-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Equipamentos Multiusuários
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2025
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2032
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Saimon Filipe Covre da Silva
• Beneficiário: Saimon Filipe Covre da Silva
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 24/08527-2 - Fontes de fóton único de estado sólido para frequências de telecomunicações, AP.QUTIA.JP
• Assunto(s): Semicondutores (físico-química) Tecnologia quântica Heteroestruturas Epitaxia por feixe molecular Aquisição de equipamentos Equipamentos multiusuários Infraestrutura de pesquisa
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Epitaxy | molecular beam epitaxy | Semiconductor Heterostructures | Semiconductor Physics

Resumo

Corrosão Local por Goticúlas (LDE) foi estabelecida como um método poderoso para produzir fótons únicos de semicondutores de estado sólido e pares de fótons emaranhados inerentemente compatíveis com a tecnologia de semicondutores estabelecida. Nesta proposta pretendemos desenvolver uma fonte única de fótons emitindo na banda C de telecomunicações, estendendo a abordagem de fabricação de LDE do sistema (In)GaAs/AlGaAs para o sistema de material III-Sb. Isto permitiria a integração da comunicação quântica já demonstrada para a faixa visível a ser utilizada na rede de fibra óptica existente, abrindo caminho para a fácil utilização de tecnologias quânticas no dia a dia. (AU)