MOSFETs IMPLEMENTADOS COM OS ESTILOS DE LEIAUTE DE PORTA DA SEGUNDA GERAÇÃO PARA POTENCIALIZAR O DESEMPENHO ELÉTRICO EM AMBIENTES EXTREMOS DE TEMPERATURA, DAS RADIAÇÕES IONIZANTES, E DOS CAMPOS MAGNÉTICOS EXTERNOS.

• Processo: 24/14632-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2025
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2028
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos
• Pesquisador responsável: Salvador Pinillos Gimenez
• Beneficiário: Salvador Pinillos Gimenez
• Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
• Pesquisadores associados: Cor Claeys ; Denis Flandre
• Assunto(s): Transistores MOSFET Nanoeletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Depambbre | Efeitos das baixas e altas temperaturas | Efeitos das radiações ionizantes | Efeitos dos campos magnéticos externos | LCE e PAMDLE | Mosfet | Nanoeletrônica

Resumo

A busca pelo desenvolvimento de novos dispositivos semicondutores que sejam ainda mais robustos e eficientes para operarem em ambientes extremos de temperatura, radiações ionizantes e sob a influência dos campos magnéticos externos (aplicações aeroespaciais, médicas, nucleares, automotivas, militares etc.) é um enorme desafio para a comunidade científica e para as empresas que desenvolvem equipamentos eletrônicos em todos os ramos das atividades humanas. Dentro desse cenário, este projeto de pesquisa tem por objetivo realizar o estudo comparativo por simulações numéricas tridimensionais e dados experimentais entre os desempenhos elétricos dos Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor [Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Field Effect Transistors, MOSFETs] implementados com a chamada "Segunda Geração de Estilos de Leiaute de Porta para MOSFETs" (geometrias de porta não convencionais híbridas: Meio-Diamante, Meio-Octo, e Meio-Elipsoidal) e aqueles implementados com geometrias de porta convencional equivalentes O estudo investigará os efeitos da temperatura (variando de 100K a 573K), das radiações ionizantes da Dose Ionizante Total (Total Ioninzing Dose, TID), dos campos magnéticos externos no desempenho elétrico e da possibilidade da redução da área de silício utilizada por esses transistores. Esse estudo é inovador, genuinamente brasileiro e proporcionará uma alternativa de baixo custo para potencializar ainda mais o desempenho elétrico dos dispositivos semicondutores que são produzidos com o atual processo planar de fabricação de circuitos integrados (CIs) MOS Complementar (Complementar MOS, CMOS). Isso proporciona inúmeros benefícios para a indústria de semicondutores, como redução de custos de fabricação, melhor desempenho elétrico e aumento da densidade de transistores por chip. Portanto, esse estudo é fundamental para o avanço da tecnologia de semicondutores, pois é uma solução inovadora para superar as limitações da miniaturização e melhorar o desempenho elétrico em ambientes extremos de altas temperaturas, das radiações ionizantes, e dos campos magnéticos externos, impulsionando avanços tecnológicos em diversos setores. (AU)