Eficiencia de colecao de celulas solares de silicio monocristalino irradiadas com eletrons de 1 mev.

• Processo: 96/01958-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1996
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 1997
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Paulo Nubile
• Beneficiário: Paulo Nubile
• Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Células solares Defeitos em semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Celulas Solares | Defeitos Em Semicondutores

Resumo

Neste projeto pretende-se estudar células solares de silício monocristalino irradiadas com elétrons de 1 MeV através de duas técnicas de caracterização complementares: a técnica DICE (Dynamic Inner Collection Efficiency) [1-4] e a técnica DLTS (Deep Levei Transient Spectroscopy) [5-7]. Pela técnica DICE determina-se a eficiência de coleção de portadores de carga nas várias regiões de interesse da célula solar (emissor, base, zona de depleção, zona de campo retrosuperficial). A técnica DLTS é utilizada para estudar e caracterizar os defeitos produzidos por danos de radiação. A idéia fundamental deste projeto é a de correlacionar os defeitos produzidos após bombardeamento com elétrons de 1 Mev com a eficiência de coleção. Pretende-se estabelecer um procedimento capaz de determinar as regiões mais afetadas das células solares e que influência têm os processos de recozimento nesse parâmetro. (AU)