Obtenção de estrutura SOI por implantação iônica de hidrogênio e solda direta

• Processo: 97/05451-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2000
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Nelson Liebentritt de Almeida Braga
• Beneficiário: Nelson Liebentritt de Almeida Braga
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Microeletrônica Implantação iônica Hidrogênio Técnica Smart cut
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Microeletronica | Silicon Insulator | Smart-Cut | Soi | Substratos Modernos

Resumo

Projeto que tem por objetivo a pesquisa científica e o desenvolvimento de um protótipo de lâmina Soi de alta qualidade, empregando uma tecnologia de preparo inovadora, recentemente batizada por "Smart Cut Soi". A tecnologia utilizará implantação iônica de hidrogênio para promover a separação da camada ativa de si do restante do substrato ao mesmo tempo em que se promoverá a solda direta com um segundo substrato não implantado. Apresenta uma série de vantagens em relação às tecnologias congêneres precedentes, dentre as quais destacamos a qualidade de interfaces SI/SIO2 e a uniformidade da camada superior de SI. Implantador iônico, forno convencional, secadora/lavadora por centrifugação e tem são equipamentos necessários. (AU)