Propriedades opticas de semicondutores em campo magnetico de alta intensidade.

• Processo: 97/07635-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 1999
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Andre Bohomoletz Henriques
• Beneficiário: Andre Bohomoletz Henriques
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Magneto-óptica Semicondutores Super-redes
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Magneto-Optica | Semicondutores | Super-Redes

Resumo

São solicitados recursos para viabilizar medidas de propriedades ópticas dos materiais em campo magnético de alta intensidade. O criostato com bobina supercondutora que fornece campo magnético de intensidade ate 20 T já esta sendo instalado no laboratório; os recursos solicitados são necessários para adequar este sistema a medidas de propriedades ópticas. São também solicitados recursos para a compra de um carrinho de vácuo, a ser acoplado ao criostato com bobina supercondutora para campo magnético de intensidade 0-14 T, que para funcionar requer um sistema de bombeamento permanente e exclusivo. Numa primeira etapa será estudada a fotoluminescência de super-redes semicondutoras dopadas de composição InP:Si/InxGa1-xAs. O conjunto de amostras foi escolhido de forma a apresentar um acoplamento entre poços vizinhos que varia desde nenhum (sistema bi-dimensional) ate muito forte (sistema tri-dimensional). A partir dos resultados dos experimentos será feita uma estimativa da renormalização da faixa proibida. A renormalização do "band gap" será estudada em função da densidade e da dimensionalidade do gás de elétrons confinado na estrutura semicondutora. (AU)