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Propriedades opticas de semicondutores em campo magnetico de alta intensidade.

Processo: 97/07635-7
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 1997
Data de Término da vigência: 31 de maio de 1999
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Andre Bohomoletz Henriques
Beneficiário:Andre Bohomoletz Henriques
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Magneto-óptica  Semicondutores  Super-redes 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Magneto-Optica | Semicondutores | Super-Redes

Resumo

São solicitados recursos para viabilizar medidas de propriedades ópticas dos materiais em campo magnético de alta intensidade. O criostato com bobina supercondutora que fornece campo magnético de intensidade ate 20 T já esta sendo instalado no laboratório; os recursos solicitados são necessários para adequar este sistema a medidas de propriedades ópticas. São também solicitados recursos para a compra de um carrinho de vácuo, a ser acoplado ao criostato com bobina supercondutora para campo magnético de intensidade 0-14 T, que para funcionar requer um sistema de bombeamento permanente e exclusivo. Numa primeira etapa será estudada a fotoluminescência de super-redes semicondutoras dopadas de composição InP:Si/InxGa1-xAs. O conjunto de amostras foi escolhido de forma a apresentar um acoplamento entre poços vizinhos que varia desde nenhum (sistema bi-dimensional) ate muito forte (sistema tri-dimensional). A partir dos resultados dos experimentos será feita uma estimativa da renormalização da faixa proibida. A renormalização do "band gap" será estudada em função da densidade e da dimensionalidade do gás de elétrons confinado na estrutura semicondutora. (AU)

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