Formacao de defeitos e propriedades mecanicas de superficies semicondutoras: analise por microscopia de varredura por ponta de prova.

• Processo: 99/06269-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1999
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2002
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Mônica Alonso Cotta
• Beneficiário: Mônica Alonso Cotta
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Defeitos Rugosidade Interface
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Compostos Iii-V | Defeitos | Interface | Microsc Varredura Por Sonda | Rugosidade | Superficies Epitaxiais

Resumo

Este projeto propõe a análise de superfícies processadas e crescidas de semicondutores III-V com técnicas de microscopia de varredura por ponta de prova. Superfícies de amostras semicondutoras processadas serão caracterizadas em termos da rugosidade e contaminação superficial para cada tipo de processo. Também pretendemos estudar a formação e evolução de defeitos cristalinos em filmes dopados, ordenados ou na transição do modo de crescimento de filmes tensionados. Estes resultados serão importantes para o modelamento do crescimento epitaxial e para a eliminação dos defeitos em heteroestruturas e desenvolvimento de novas técnicas de epitaxia, que servirão para fabricação de dispositivos no LPD/IFGW/UNICAMP. (AU)