Estudo de propriedades de eletrons em sistemas semicondutores de baixa dimensionalidade disordenados fortemente correlacionados crescidos por epitaxia de feixes moleculares.

• Processo: 01/01708-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2004
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Iouri Poussep
• Beneficiário: Iouri Poussep
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Pontos quânticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Magnetotransporte | Pontos Quanticos | Semicondutores

Resumo

Algumas propriedades de sistemas eletrônicos desordenados e fortemente correlacionados (super-redes semicondutoras e estruturas com multicamadas dos pontos quânticos auto-organizados) serão estudadas neste projeto. Esperamos explorar o comportamento dos elétrons nestes sistemas sujeitos a radiarão eletromagnética (reação dos elétrons no campo alternado - ac) e o magneto transporte vertical (reação dos elétrons no campo contínuo - dc) em super-redes (estruturas formadas por uma seqüência de poços quânticos fortemente acoplados) altamente dopadas com desordem intencional. Nestas estruturas, as influências de ambas desordem e interação entre os elétrons, no comportamento dos elétrons localizados podem ser investigadas. Esperamos observar as conseqüências da localização (desordem) nas oscilações coletivas tipo plasma e também um magneto resistência vertical longitudinal. (AU)