Estudo de hetero-estruturas multicamadas formadas em nano-fios semicondutores.

• Processo: 10/51853-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2011
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2013
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Iouri Poussep
• Beneficiário: Iouri Poussep
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Auxílio(s) vinculado(s): 12/50431-5 - Exchange of researchers for growth and characterization of nanostructures, AP.R
• Assunto(s): Semicondutores Fotoluminescência
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fotoluminescencia | Magneto-Transporte | Nano-Fios | Semicondutores

Resumo

Usando medidas de espalhamento Raman, de fotoluminescência e de magneto-transporte planejamos estudar as propriedades estruturais e eletrônicas em vários tipos de fios quânticos compostos de hetero-estruturas semicondutoras multi-camadas GaAs/GaP e InAs/InP crescidas por epitaxia de feixes moleculares. O objetivo do projeto é desenvolver métodos de fabricação de dispositivos baseados em hetero-estruturas multi-camadas formados em nano-fios, que podem ser utilizados em dispositivos nano-fotônicos principalmente, como células solares. Ainda mais, o sistema eletrônico uni-dimensional modulado por potencial de multi-camadas apresenta um objeto único, onde os efeitos de interação entre os elétrons podem causar efeitos novos, recentemente previstos teoricamente. (AU)