Desenvolvimento de células solares de silício de alto rendimento

• Processo: 95/09435-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Manuel Cid Sánchez
• Beneficiário: Manuel Cid Sánchez
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Energia solar Células solares Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Alto Rendimento | Camadas Anti-Refletoras | Celulas Solares | Otimizacao De Emissores | Processos De Difusao | Texturizacao
• Publicação FAPESP: https://media.fapesp.br/bv/uploads/pdfs/Investindo...pesquisadores_272_205_205.pdf

Resumo

O principal objetivo do presente projeto de pesquisa é a fabricação de células solares de silício de alto rendimento. Como é sabido a voltagem de circuito aberto está limitada pela recombinação nas regiões altamente dopadas de emissor, portanto, otimizar estas regiões é fator fundamental para melhorar o comportamento das células solares. Ainda com o objetivo de maximizar o rendimento torna-se necessária a diminuição da reflexão na superfície frontal da célula solar. Assim, o trabalho experimental consistirá na fabricação e caracterização de células solares n+p com emissores otimizados utilizando a texturização e camadas antirrefletoras simples e duplas como meio para diminuir as perdas por reflexão. Como tecnologia de dopagem será usada a difusão convencional em tubo aberto. Será necessário, portanto, desenvolver e ou melhorar diversas técnicas de fabricação, tais como: fotomáscaras de alta definição, camadas antirrefletoras simples e múltiples e a texturização de superfícies. O segundo objetivo perseguido por este projeto está relacionado com a necessária implementação de diversas técnicas que permitam uma melhor caracterização das células solares. A necessária caracterização dos dispositivos fabricados consistirá das seguintes medidas: curvas I-V e Isc-V oc, resposta espectral, e perfil de densidade de dopante medido através da técnica de 'spreading resistance'. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

N. STEM; M. CID. Studies of phosphorus Gaussian profile emitter silicon solar cells. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, v. 4, n. 2, p. 143-148, 2001-00-00. (95/09435-0)

M. CID; N. STEM. Homogeneous Gaussian Profile P+-Type Emitters: Updated Parameters and Metal-Grid Optimization. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, v. 5, n. 4, p. 427-432, 2002-10-00. (95/09435-0)

CID‚ M.; STEM‚ N.; BRUNETTI‚ C.; BELOTO‚ AF; RAMOS‚ CAS. Improvements in anti-reflection coatings for high-efficiency silicon solar cells. SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, v. 106, n. 2, p. 117-120, 1998. (95/09435-0)