Otimização dos processos de preparação de semicondutores amorfos do tipo III-V

• Processo: 97/06278-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2004
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Humberto Dias da Silva
• Beneficiário: Jose Humberto Dias da Silva
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Auxílio(s) vinculado(s): 01/08005-4 - Urbach energy parameter of flash evaporated amorphous gallium arsenide films., AR.EXT
• Bolsa(s) vinculada(s): 04/12120-1 - Efeitos estruturais e opticos da incorporacao de mn em filmes nanocristalinos de gamnn preparados por rf-magnetron sputtering., BP.MS; 04/09989-6 - Caracterização estrutural de filmes nanocristalinos de GaAs e GaN preparados por R.F magnetron spputering, BP.IC; 98/12744-2 - Otimizacao do processo de preparacao do arseneto de galio amorfo pela tecnica de evaporacao flash., BP.PD; 98/04625-3 - Aplicação do processo de evaporação flash para a preparação de filmes amorfos de compostos III-V, BP.IC
• Assunto(s): Hidrogenação Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao Optica | Estados De Defeitos | Hidrogenacao | Preparacao De Filmes | Semicondutores Amorfos | Transporte Eletrico
• Publicação FAPESP: https://media.fapesp.br/bv/uploads/pdfs/Investindo...pesquisadores_256_197_197.pdf

Resumo

O objetivo deste projeto é a otimização dos processos de preparação de filmes de semicondutores amorfos de compostos do tipo III-V. Para isto construiremos um sistema de deposição por sputtering RF e aperfeiçoaremos o funcionamento de uma evaporadora ‘flash’, possibilitando a preparação amostras de GaAs e o GaSb, hidrogenados e não hidrogenados. A qualidade dos filmes será avaliada em medidas de fotoluminescência, espectroscopia Raman e fotocondutividade. Caracterizações básicas, como borda de absorção, condutividade no escuro e espectroscopia de absorção no infravermelho também serão necessárias, permitindo melhor entendimento do papel dos principais defeitos no material (centros C3) e como estes evoluem para diferentes condições de preparação. (AU)