"deposition of silicon nitride by low-pressure electron-cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposi...".

• Processo: 97/11729-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Publicações científicas - Artigo
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 1998
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos
• Pesquisador responsável: Peter Jurgen Tatsch
• Beneficiário: Peter Jurgen Tatsch
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Ecr | Plasma Enhanced Cvd | Silicon Nitride